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J-GLOBAL ID：200903098312024670
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991162752
Publication number (International publication number)：1993013584
Application date： Jul. 03, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Au配線を使用し、耐湿性に優れた高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1の上に形成された各素子とボンディングパッド11とを、第1層配線7および第1層配線7の上に形成された層間絶縁膜8の上に形成され、かつコンタクト部9を介して第1層配線7と接続された第2層配線10とで接続した。
Claim (excerpt)：
半導体基板の上に形成された各素子とボンディングパッドとの間が、第1層配線とその第1層配線の上の層間絶縁膜の上に形成された第2層配線とが1個以上のコンタクト部を介して直列に接続された配線によって接続された半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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