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J-GLOBAL ID：200903098330874606

透明電極薄膜形成方法

Inventor： 津田 善行 ,  安井 秀明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992296427
Publication number (International publication number)：1994122973
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】電気抵抗が低く、パターン精度の良好な微細結晶のITO透明電極薄膜を形成する。【構成】スパッタリング法でITO(酸化インジュウム錫)透明電極薄膜を形成する際に、まず薄膜の一部を2〜3Paのスパッタリング圧力で形成した後、0.5〜1Paのスパッタリング圧力で所定膜厚を形成する。【効果】結晶粒径が小さく、微細なパターン加工が可能な結晶構造を電気抵抗の増加を伴うことなく実現することができるので、従来よりさらに微細なデバイスへのITO透明導電薄膜の適応を可能にするとともに、デバイスの機能向上に効果が大である。

Claim (excerpt)：

スパッタリング法でITO(酸化インジュウム錫)透明電極薄膜を形成する際に、2〜3Paのスパッタリング圧力で形成膜厚の1/4〜1/3または50nmのどちらか小さい方の膜厚を形成した後、0.5〜1Paのスパッタリング圧力で前記所定膜厚を形成する透明電極薄膜形成方法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08