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J-GLOBAL ID：200903098331834888
絶縁ゲート型半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136794
Publication number (International publication number)：1999330466
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：
【要約】【課題】 製造歩留の低下やゲート配線抵抗の増大等の弊害を生ずることなくゲート容量を低減し、大面積素子の場合や素子を並列動作させる場合におけるスイッチング時の電流及び電圧波形振動が小さい絶縁ゲート型半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る絶縁ゲート型半導体装置は、略平行に形成された複数のトレンチゲート電極を備えた絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲート電極のうち、チャネル形成に寄与するチャネル形成用トレンチゲート電極以外の間引き用トレンチゲート電極が、ゲート配線部から絶縁され、かつ、エミッタ電極又はエミッタ電位に対し負の電位を発生させる所定の電位発生手段に接続されているものである。
Claim (excerpt)：
略平行に形成された複数のトレンチゲート電極を備えた絶縁ゲート型半導体装置において、前記トレンチゲート電極のうち、チャネル形成に寄与するチャネル形成用トレンチゲート電極以外の間引き用トレンチゲート電極は、ゲート配線部から絶縁され、かつ、エミッタ電極又はエミッタ電位に対し負の電位を発生させる所定の電位発生手段に接続されているものであることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 654 Z
