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J-GLOBAL ID：200903098344336127

III族窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 中平 篤 ,  田中 秀尚
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280608
Publication number (International publication number)：1998125957
Application date： Oct. 23, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】高品質の立方晶III族窒化物半導体薄膜を有する半導体素子構造を可能とすること、および高品質の立方晶III族窒化物半導体膜を有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】閃亜鉛鉱型の単結晶の(100)面を[01-1]方向に傾斜した基板上に、立方晶系の結晶構造を持つIII族窒化物半導体AlN、GaN、InN単結晶薄膜、またはその混晶AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のうちから選択される少なくとも1種の窒化物半導体層を堆積したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法とする。

Claim (excerpt)：

閃亜鉛鉱型の単結晶の(100)面を[01-1]方向に傾斜した基板上に、立方晶系の結晶構造を持つIII族窒化物半導体AlN、GaN、InN単結晶薄膜、またはその混晶AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦x+y≦1)のうちから選択される少なくとも1種の窒化物半導体層を堆積してなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18