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J-GLOBAL ID：200903098346542280

半導体ウェハをイオンインプランテーションする装置及び方法

Inventor： フレデリック ジェイ エル ロビンソン ,  マイケル ティ ウォーク ザ セカンド
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993011946
Publication number (International publication number)：1994111752
Application date： Sep. 19, 1985
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハの表面に接触するようなクランプ機構を用いることなくイオンビームによる走査中ヒートシンクにウェハを保持してイオンプランテーションを均一に実施する。【構成】 走査ホイール組立体は、イオンビームの進行方向に対して第1の僅かな角度で軸が傾斜している中心ハブから外方にのびている複数のスポークアームを備え、各スポークアームはそれの端に、前記のハブの軸に対する垂直線に対して第2の僅かな角度で傾斜して取り付けられたウェハ取付けパドルを有し、その第2の僅かな角度の傾斜によって走査ホイール組立体の回転中ウェハ取付け面にウェハを押しつけてウェハを保持できるだけの遠心力成分が発生するように構成している。

Claim (excerpt)：

イオンビームを発生し、投射する手段、複数の半導体ウェハを支持し、ウェハ処理室内に回転するように取り付けられた走査ホイール組立体、及びこの走査ホイール組立体をそれの中心の周りに回転する手段を備え、前記の走査ホイール組立体は、イオンビームの進行方向に対して第1の僅かな角度で軸が傾斜している中心ハブから外方にのびている複数のスポークアームを備え、各スポークアームはそれの端に、前記のハブの軸に対する垂直線に対して第2の僅かな角度で傾斜して取り付けられたウェハ取付けパドルを有し、その第2の僅かな角度の傾斜によって走査ホイール組立体の回転中ウェハ取付け面にウェハを押しつけてクランプ手段を使用しなくてもウェハを保持できるだけの遠心力成分が発生するようにし、各ウェハ取付けパドルは冷却流体チャンネルと、この冷却流体チャンネルを前記のハブへ接続するパイプとを有していることを特徴とする半導体ウェハをイオンビームで走査する装置。

IPC (4)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/265

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭52-123174
  
• 特開昭54-078091
  
• 特開昭49-014082
  
• 特開昭52-060482