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J-GLOBAL ID：200903098351244904
ポリシリコン薄膜トランジスタ集積回路、イメージセンサ、液晶ディスプレー、半導体メモリー装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282351
Publication number (International publication number)：1994112490
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置を用いて、ダイナミック駆動をおこなう集積回路の最適な構成およびプロセスを提供する。【構成】 薄膜状絶縁ゲイト型トランジスタを有するダイナミック回路を構成する際に、リーク電流の小さなTFTを形成するために、PMOSを使用し、かつ、その活性層に酸素もしくは窒素を1018cm-3以上ドーピングするとともに、その他の高速動作を要求されるTFTでは、酸素および窒素の濃度はいずれも1018cm-3以下とする。
Claim (excerpt)：
同一基板上に少なくとも2つのPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタを有する集積回路において、そのうちの少なくとも1つのPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタはその活性層中の酸素もしくは窒素の濃度がいずれも1018cm-3以下であることと、他のPチャネル型ポリシリコン薄膜トランジスタの活性層中の酸素もしくは窒素のいずれかの濃度が1018cm-3以上であること、を特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタ集積回路。
IPC (3)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 27/146
H01L 29/78 311 H
, H01L 27/14 C
, H01L 29/78 311 C
Cited by examiner (8)
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