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J-GLOBAL ID：200903098354388125

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 石嶋 俊之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992273895
Publication number (International publication number)：1994125081
Application date： Oct. 13, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ショートチャンネル効果を緩和し、ゲート電極を結ぶ配線抵抗を下げる。【構成】 絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極4をソース領域7・ドレイン領域8を除く素子領域全面に形成し、各絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極4をソース領域7・ドレイン領域8間の距離よりも幅の広い導体5により電気的に接続する。このため、導体5はソース・ドレイン領域7,8上に形成されるコンタクト6a,6aと自己整合的に形成できるとともに、導体幅を両コンタクト6a,6a間の距離より広く設定できるため、ゲート電極間を結ぶ配線抵抗を低く設計することができる。

Claim (excerpt)：

ソース・ドレイン領域とゲート電極と導体とを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタであって、ソース・ドレイン領域は、半導体基板上に設けられたものであり、ゲート電極は、絶縁膜を介して半導体基板上に積層形成され、ソース・ドレイン領域を除く半導体基板上の素子領域を覆うものであり、導体は、ゲート電極上に直接積層形成され、かつソース・ドレイン領域間の距離よりも広い幅をもち、半導体基板上に形成された複数の絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極相互間を接続するものであることを特徴とする電界効果トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X