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J-GLOBAL ID：200903098370559371
二重ダイヤモンドメサ垂直型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228766
Publication number (International publication number)：1994177400
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ダイヤモンドの半導体材料としての優れた特長を生かした二重ダイヤモンドメサ垂直型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 二重ダイヤモンドメサ垂直型電界効果トランジスタ21はダイヤモンド層31と、ダイヤモンド層31上の第1ダイヤモンドメサ32と、ダイヤモンド層に対向する第1ダイヤモンドメサ31上の第2ダイヤモンドメサ33とを有する。第1ダイヤモンドメサ32に対向する第2ダイヤモンドメサ33上にソースコンタクト34を形成し、ダイヤモンド層31に対向する第1ダイヤモンドメサ32上にゲートコンタクト35を形成する。第1ダイヤモンドメサ32に隣接するダイヤモンド層31上にドレインコンタクト37を形成する。なお、ダイヤモンド層自体を非ダイヤモンド基板上に形成し、非ダイヤモンド基板上にドレインコンタクトを設けてもよい。
Claim (excerpt)：
面を有するダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層の前記面上の第1ダイヤモンドメサと、前記ダイヤモンド層の前記面に対向する前記第1ダイヤモンドメサ上の第2ダイヤモンドメサと、前記第1ダイヤモンドメサに対向する前記第2ダイヤモンドメサ上のソースコンタクトと、前記ダイヤモンド層の前記面上のドレインコンタクトと、前記ダイヤモンド層の前記面に対向する前記ダイヤモンドメサ上のゲートとを有し、前記ソースコンタクト及びドレインコンタクトが前記第1ダイヤモンドメサを通るキャリアー伝導の垂直チャンネルを形成することを特徴とする二重ダイヤモンドメサ垂直型電界効果トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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