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J-GLOBAL ID：200903098378808702

荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法

Inventor： 小林 克彦 ,  大野 学 ,  安田 洋
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 平戸 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994143724
Publication number (International publication number)：1996017702
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】集積回路の製造工程等において使用される荷電粒子ビーム露光装置、例えば、電子ビーム露光装置に関し、透過パターン像に露光むらが発生しないように電子銃のクロスオーバ像の非点収差補正及び像面湾曲補正を行い、精度の高い露光を行うことができるようにする。【構成】ブロックマスク13のデフレクタ・エリア1712のブロック221、222・・・2248に、図2Eに示すような試料電流密度分布測定用のブロックパターンを形成し、このブロックパターンの像における周辺部の試料電流密度分布が一様ないし略一様となるマスク偏向器の駆動値、非点収差補正コイルの駆動値、像面湾曲補正コイルの駆動値を求め、これに基づいて正規の露光を行う。

Claim (excerpt)：

荷電粒子ビーム発生源と、この荷電粒子ビーム発生源から発生された荷電粒子ビームの断面形状を矩形に整形する矩形アパーチャを有してなる矩形アパーチャ板と、この矩形アパーチャ板の下流に配置され、荷電粒子ビームの偏向が可能とされた広さの、かつ、移動により選択可能とされた複数の荷電粒子ビーム偏向可能領域を有すると共に、これら複数の荷電粒子ビーム偏向可能領域のそれぞれ対応する位置に荷電粒子ビームの偏向により選択可能とされた透過パターンが形成されてなる複数の矩形の透過パターン形成領域を有するマスク板と、前記矩形アパーチャ板により矩形に整形された荷電粒子ビームを前記マスク板の移動により選択された荷電粒子ビーム偏向可能領域の所望の透過パターンに偏向する第1の偏向手段と、前記マスク板の移動により選択された荷電粒子ビーム偏向可能領域の所望の透過パターンを通過した荷電粒子ビームを光軸に振り戻す第2の偏向手段と、前記マスク板の下流に配置され、前記荷電粒子ビーム発生源のクロスオーバ像が結像される円形アパーチャを有してなる円形アパーチャ板と、この円形アパーチャ板の上流に配置され、前記荷電粒子ビーム発生源の前記円形アパーチャ面におけるクロスオーバ像の非点収差を補正する非点収差補正手段と、前記円形アパーチャ板の上流に配置され、前記荷電粒子ビーム発生源の前記円形アパーチャ面におけるクロスオーバ像の像面湾曲を補正する像面湾曲補正手段とを有してなる荷電粒子ビーム露光装置において、前記複数の荷電粒子ビーム偏向可能領域のうちの1個の荷電粒子ビーム偏向可能領域の一部又は全部の透過パターン形成領域には、少なくとも、透過パターン形成領域の対向する辺に沿って、同一の形状、同一の大きさの複数の透過孔を線対称に配列してなる試料電流密度分布測定用の透過パターンが形成されていることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01J 9/227 ,  H01J 37/305