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J-GLOBAL ID：200903098380638423
新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992173830
Publication number (International publication number)：1993249682
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【構成】一般式[I](例えばp-1-メトキシ-1-メチルエトキシスチレン-p-ヒドロキシスチレン重合体、)で示される重合体と、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。【効果】本発明のレジスト材料を300 nm以下の光源、例えば遠紫外光(Deep UV)、例えばKrFエキシマレーザ光(248.4 nm)等の露光用レジスト材料として用いた場合には、極めて高い解像性能を有し、且つ露光から加熱処理(ポストベーク)迄の時間経過に対して安定したパターン寸法の維持が可能な、実用的なクォーターミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが容易に得られる。従って本発明は、半導体産業等に於ける超微細パターンの形成にとって大きな価値を有するものである。
Claim (excerpt)：
一般式[I]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、又、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子又はシアノ基を表し、R6は水素原子又はメチル基を表し、R7は水素原子、シアノ基又は-COOY(但し、Yは炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基を表す。)を表し、又、R5とR7は互いに結合して-CO-O-CO-となっていても良く、kとlは夫々独立して自然数を表し{但し、0.1 ≦k/(k+l)≦ 0.9である。}、mは0又は自然数を表す(但し、mが自然数の場合、0.05≦m/(k+l+m)≦0.50である。)。]で示される重合体と、露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。
IPC (5)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/028
, G03F 7/26
, H01L 21/027
