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J-GLOBAL ID：200903098386420357

複合発光体薄膜及びその製造方法及び薄膜EL素子

Inventor： 岡嶋 道生 ,  任田 隆夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226988
Publication number (International publication number)：1993013172
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 赤色、緑色、青色等で発光する発光素子に関するもので、広いバンドギャップを有する半導体材料の薄膜を用い、効率よく短波長でも発光する発光素子を提供する。【構成】 GaAs基板(111)面上にエピタキシャル成長させることでウルツ鉱型MnSよりなる障壁層2とZnCdSよりなる蛍光体薄膜3の積層構造よりなる複合発光体薄膜を形成する。この複合発光体薄膜の外側から電圧を印加する電極を付設して薄膜EL素子を形成する。

Claim (excerpt)：

厚さが50nm以下、1nm以上のII-VI族化合物半導体もしくはそれらの混晶を主成分とする蛍光体薄膜を、その蛍光体薄膜のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップの、マンガンとVI族元素とを含む閃亜鉛鉱型あるいはウルツ鉱型結晶構造の化合物半導体からなる障壁層で挟持した構成を、単独もしくは複数回繰り返して設けたことを特徴とする複合発光体薄膜。

IPC (4)：

H05B 33/22 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-165993
  
• 特開昭61-267298