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J-GLOBAL ID：200903098439288880

超電導デバイス及びその製造方法並びにそれを用いた超電導トランジスタ

Inventor： 鈴木 博 ,  井寄 将博 ,  臼井 辰朗 ,  善里 順信
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285621
Publication number (International publication number)：1993102543
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、製造の容易な超電導デバイス及びそれを用いた超電導トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 基板1としてNbを0.005重量%以上0.5重量%以下ドープした単結晶SrTiO<SB>3</SB>を用いる。この基板1上にBa<SB>1-p</SB>K<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)組成の超電導体層2aを設ける。

Claim (excerpt)：

基板としてNbを0.005重量%以上0.5重量%以下ドープした単結晶SrTiO<SB>3</SB>を用い、この基板上にBa<SB>1-p</SB>K<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)又はBa<SB>1-p</SB>Rb<SB>p</SB>BiO<SB>3</SB>(ここに、pは0.2<p<0.5)の組成の超電導体層を設けたことを特徴とする超電導デバイス。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-091985
  
• 特開平2-144977
  
• 特開平1-146359