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J-GLOBAL ID：200903098486155502
半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992113838
Publication number (International publication number)：1993315490
Application date： May. 07, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】半導体チップにリードフレームを半田付けする際に、溶融半田がチップの保護膜面域へ不当にはみ出しすのを防止し、半導体チップとリードフレームの間に適正な半田フィレットが形成できるようにした半導体素子、特にそのリードフレームの構造を提供する。【構成】リードフレーム2のダイパッド2aに半導体チップ1の電極面を半田付けマウントした半導体素子において、リードフレーム2のダイパッド2aにチップ側の電極面と当接する凸状段部2cを形成して該部に余剰の溶融半田を吸収する穴2dを穿孔するとともに、さらにダイパッドより引出したリード部2bの付け根部には、ダイパッドの面域を超えて流れ出る余剰の溶融半田を吸収する穴2eを穿孔する。
Claim (excerpt)：
リードフレームのダイパッドに半導体チップの電極面を半田付けマウントした半導体素子において、ダイパッドより引出したリード部の付け根部に、半田付け工程でダイパッド面域を超えて流れ出る余剰の溶融半田を吸収するための穴を穿孔したことを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L 23/48
, H01L 21/52
, H01L 23/50
