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J-GLOBAL ID：200903098486659306

シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ

Inventor： フレデリック・ヘイズ・ディル ,  ロバート・エドワード・フォンタナ、ジュニア ,  スチュアート・ステファン・パップワース・パーキン ,  チン・ホワ・ツァン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998289020
Publication number (International publication number)：1999213351
Application date： Oct. 12, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 磁気シールド間の間隔を低減して、高い面密度を達成する。【解決手段】 磁気シールドは、ヘッドが磁気記録媒体から個々の磁気転移を、隣の転移からの干渉無しに検出することを可能にし、ヘッドを検出回路に接続する電気リードとしても機能する。導電スペーサ層102、104がMTJ素子の上下に配置され、MTJ素子をシールドに接続する。スペーサ層の厚さは、シールド間の間隔を最適化するように選択される。該厚さは磁気記録媒体から読出されデータの線分解能を制御するパラメータである。シールド間の間隔が小さい場合に、シールド間の電気的短絡の可能性を低減するために、シールドの各々がペデスタル領域を有し、これら2つのペデスタル間にMTJ素子が配置され得る。この場合、ペデスタル領域の外側のシールド間の間隔がペデスタル領域内よりも大きい。

Claim (excerpt)：

検出回路に接続されるとき、媒体上に磁気的に記録されたデータを検出する磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッドであって、第1の導電性の磁気シールドと、前記第1のシールド上に配置される第1の導電性のスペーサ層と、前記第1のスペーサ層上に配置される磁気トンネル接合であって、前記媒体からの印加磁場の存在の下で、磁化方向が好適な方向に沿って固定され、回転を阻止される固定強磁性層と、前記媒体からの印加磁場の不在の下で、磁化方向が前記固定強磁性層の磁化方向に垂直に向けられ、前記印加磁場の存在の下で、自由に回転することができる検出強磁性層と、前記固定強磁性層と前記検出強磁性層との間に接触して配置され、前記固定強磁性層及び前記検出強磁性層に垂直な方向のトンネル電流を可能にする、絶縁トンネル障壁層とを含む、磁気トンネル接合と、前記磁気トンネル接合を前記第1のスペーサ層との間で挟み込む第2の導電性のスペーサ層と、前記第2のスペーサ層上に配置される第2の導電性の磁気シールドとを含み、前記第1のシールドから前記第1のスペーサ層、前記磁気トンネル接合及び前記第2のスペーサ層を通じて前記第2のシールドに至る導電パスが提供される、読取りヘッド。