半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012096
Publication number (International publication number)：1998209131
Application date： Jan. 27, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】焼成温度を低下させる目的で不純物が添加された有機絶縁膜をドライエッチングする場合に、エッチング残渣なくエッチングを行う。【解決手段】半導体装置上に形成され、不純物が微量添加された有機絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する方法であって、前記有機絶縁膜上に所定形状のレジストを形成し、このレジストをマスクにして酸素ガスとフッ素ガスの混合ガスを用いて有機絶縁膜をドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

半導体装置上に形成され、不純物が微量添加された有機絶縁膜をドライエッチングして半導体装置を製造する方法において、前記有機絶縁膜上に所定形状のレジストを形成し、このレジストをマスクにして酸素ガスとフッ素ガスの混合ガスを用いて前記有機絶縁膜をドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/302 H , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 619 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-250651
特開平3-268427
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264351 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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