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J-GLOBAL ID：200903098493811253

半導体装置の製造方法

Inventor： 岩渕 隆之 ,  松永 徳彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997051520
Publication number (International publication number)：1998256229
Application date： Mar. 06, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜等に設けられた微細な開口部に金属膜を蒸着またはスパッタなどで形成した場合に、金属膜に発生する「鬆」や断切れを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板2上にフッ素樹脂膜4が形成され、このフッ素樹脂膜4には開口部が形成されている。このフッ素樹脂膜4に対してアッシング装置により酸素プラズマを利用してアッシングを行うことにより、上記フッ素樹脂膜4に形成された開口部上部の角に曲面を形成する。

Claim (excerpt)：

反応性ガスを利用してアッシングを行うアッシング装置により、フッ素樹脂膜のほぼ直角な形状の角部を曲面に加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41

FI (4)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 576 ,  H01L 21/88 F ,  H01L 29/44 Z