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J-GLOBAL ID：200903098496677957
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180300
Publication number (International publication number)：1993003249
Application date： Jun. 25, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明の目的は、製造工程及び製造コストを増大させることなく、ダイシング時のチッピングを防止すると共に、ワイヤボンディング後の金線の垂れなどが生じても配線不良などを引き起こすことがない半導体装置及びその製造方法を提供することである。【構成】 本発明では、半導体チップ領域22,42,52の最外表面に形成される保護膜30が半導体基板20,40,50のスクライブライン領域32の表面にも連続して形成してあり、この保護膜30の上から半導体基板20をダイシングする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に複数の半導体チップ領域が形成され、各チップ領域の分割ライン領域であるスクライブライン領域に沿ってダイシングされる半導体装置において、半導体チップ領域の最外表面に形成される絶縁性樹脂から成る保護膜が半導体基板のスクライブライン領域表面にも連続して形成してあることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/78
, H01L 21/60 301
