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J-GLOBAL ID：200903098500737544

集積半導体回路の接触孔形成方法

Inventor：
ハンノ メルツナー

About ハンノ メルツナー


Applicant, Patent owner：
シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト

About シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト


Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993261934
Publication number (International publication number)：1994196569
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板上に軌道形パターンを配置された集積半導体回路の自己整合形接触孔を形成する。【構成】 軌道形パターン3を、長さL1の導電領域2上にある2つの軌道形パターン間の間隔D1が隣接する半導体基板1上にある間隔D0よりも広い幅を有するように形成し、D1/2>D4≧D0/2でありまたL1/2≧D4である層厚d4を有する絶縁中間層4を施し、導電領域2が少なくとも部分的に露出するまで中間層4を異方性エッチングする各工程により、接触孔5が2つの軌道形パターン3間の深部にある導電領域2を少なくとも部分的に露出するようにする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に配設された軌道形パターンを有する集積半導体回路の自己整合による接触孔の形成方法において、軌道形パターン(3)を、長さL1の導電領域(2)上にある2つの軌道形パターン間の間隔D1が隣接する半導体基板(1)上にある間隔D0よりも広い幅を有するように形成し、D1/2>d4≧D0/2でありまたL1/2≧d4である層厚d4を有する絶縁中間層(4)を施し、導電領域(2)が少なくとも部分的に露出するまで中間層(4)を異方性エッチングする各工程により、接触孔(5)が2つの軌道形パターン(3)間の深部にある導電領域(2)を少なくとも部分的に露出するようにしたことを特徴とする集積半導体回路の接触孔形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/90 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/108
FI (2)：
H01L 21/88 K ,  H01L 27/10 325 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平4-315454
  • 特開平2-113570
  • 特開平4-233253
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