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J-GLOBAL ID：200903098502629803

MOSゲートトランジスタの駆動回路

Inventor： 岡土 千尋
Applicant, Patent owner： 東芝エフエーシステムエンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314568
Publication number (International publication number)：1993161343
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MOSゲートトランジスタのスイッチング動作時における電力損失を低減すること。【構成】 IGBTあるいはMOSFET等のMOSゲートトランジスタ(6)をオン・オフスイッチング制御する装置において、スイッチング指令信号の変化率を所定変化率内に制限する変化率制限手段(20)と、変化率が制限された信号を電力増幅する増幅手段(21)を設け、低インピーダンスのゲート抵抗(5)を介してMOSゲートトランジスタ(6)を制御する。

Claim (excerpt)：

IGBTあるいはMOSFET等のMOSゲートトランジスタをオン・オフスイッチング制御する装置において、スイッチング指令信号の変化率を所定変化率内に制限する変化率制限手段と、変化率が制限された信号を電力増幅する増幅手段を設け、低インピーダンスのゲート抵抗を介してMOSゲートトランジスタを制御することを特徴とするMOSゲートトランジスタの駆動回路。