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J-GLOBAL ID：200903098514537971
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096679
Publication number (International publication number)：1993136404
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 低温においても、単チャネル効果の低減とホットキャリア効果の低減の双方をバランスし、電流駆動能力を十分維持する微細化されたMOS型電界効果トランジスタを得る。【構成】 ソース/ドレイン領域7に挟まれたゲート電極4の下方に位置するチャネル領域の、半導体基板表面から所定の深さにかけて第1の中性不純物層8aを有し、チャネル領域を除き、ソース/ドレイン領域を包囲するように、第1の中性不純物層8aよりも高い濃度を有する第2の中性不純物層8bとを有している。第1の中性不純物層における中性不純物散乱によってホットキャリアの発生が抑制され、第2の中性不純物層によって、ソース/ドレイン領域の不純物の熱処理時の拡散が抑えられる。
Claim (excerpt)：
主表面を有する第1導電型の半導体基板と、この半導体基板表面の前記主表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、このゲート電極の左右両側壁の直下近傍から外側にかけて形成された、第2導電型の不純物拡散層からなるソース/ドレイン領域とを備えたMOS型トランジスタを含む半導体装置において、前記ゲート電極直下の前記ソース/ドレイン領域に挟まれたチャネル領域を除き、前記ソース/ドレイン領域の下方を包囲するように、前記第1導電型あるいは前記第2導電型のいずれの導電型としても作用しない中性の不純物を注入して形成された中性不純物層を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 S
