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J-GLOBAL ID:200903098533571749

フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000186548
Publication number (International publication number):2001055361
Application date: Jun. 21, 2000
Publication date: Feb. 27, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 フォトレジスト組成物のPED安定性を確保できる添加剤の提供。【解決手段】化学増幅型レジストに式1のフェニレンジアミン誘導体を添加する。で、Bはであり、B′は、又はRはH、C1〜10のアルキル、Aは露光部で発生した酸により全体又は一部が離脱され、アルカリ現像液に溶解可能な親水性機能基、例えばテトラヒドロピラン-2-イル、アルキル基に置換されたテトラヒドロピラン-2-イル等である。
Claim (excerpt):
フォトレジスト組成物の露光後遅延安定性向上のための添加剤として用いられ、下記式(1)で示されることを特徴とするフェニレンジアミン誘導体。【化1】前記式で、Bは【化2】であり、B’は、【化3】又は【化4】であり、Rは水素又は炭素数1〜10のアルキル基であり、Aは露光部で発生した酸により全体又は一部が離脱され、アルカリ現像液に溶解可能な親水性機能基に変化する保護基である。
IPC (10):
C07C217/08 ,  C07C213/02 ,  C07C269/04 ,  C07C271/28 ,  C07D307/22 ,  C07D309/14 ,  G03F 7/004 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C07B 61/00 300
FI (10):
C07C217/08 ,  C07C213/02 ,  C07C269/04 ,  C07C271/28 ,  C07D307/22 ,  C07D309/14 ,  G03F 7/004 502 ,  G03F 7/039 601 ,  C07B 61/00 300 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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