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J-GLOBAL ID：200903098537394876
配線基板のビアホール形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007926
Publication number (International publication number)：1993198950
Application date： Jan. 20, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】 多層配線基板を構成する絶縁層へのビアホール形成方法に関し、簡単な工程で良質のビアホールを形成することを目的とする。【構成】 エキシマレーザ光によるアブレーションを利用し、多層配線基板の絶縁膜にビアホールを形成する方法において、この絶縁膜が芳香環またはヘテロ環を構造中に有する熱硬化樹脂を多孔質ポリテトラフロロエチレン膜に含浸させたものにより構成されており、波長が190nm 以上で且つ1パルス当たりの発光時間が1ns以上のKrFまたはXeClエキシマレーザ光を用いて配線基板のビアホール形成方法を構成する。
Claim (excerpt)：
エキシマレーザ光によるアブレーションを利用し、多層配線基板の絶縁膜にビアホールを形成する方法において、該絶縁膜が芳香環またはヘテロ環を構造中に有する熱硬化樹脂を多孔質ポリテトラフロロエチレン膜に含浸させたものにより構成されており、また、前記エキシマレーザ光が波長190nm 以上で且つ1パルス当たりの発光時間が1ns以上であることを特徴とする配線基板のビアホール形成方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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