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J-GLOBAL ID：200903098538814950
半導体発光素子,及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995245611
Publication number (International publication number)：1997092882
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 安価かつ高結晶品質で、大面積化及び低抵抗化が容易なSi基板上に、GaN系化合物半導体を良質に成長した半導体発光素子,及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上にアモルファス又は多結晶のSi又はSiCからなるバッファ層2を形成し、該バッファ層2上に,発光領域4をその中に形成するよう積層形成された複数のGaN系化合物半導体層3〜5を形成してなるものである。
Claim (excerpt)：
Si基板と、該Si基板上に形成された,アモルファス又は多結晶からなる第1バッファ層と、該第1バッファ層上に,電子と正孔の再結合により発光する発光領域をその中に形成するよう積層形成された複数のGaN系化合物半導体層とを備えてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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