Pat

J-GLOBAL ID：200903098546237171

再生ウェーハの製造方法

Inventor： 家入 健治 ,  竹村 雅則 ,  猪垣 誠 ,  安東 省二
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993290019
Publication number (International publication number)：1995122532
Application date： Oct. 26, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 エッチングムラのない再生シリコンウェーハを得ることができる製法を提供する。【構成】 ポリシリコン膜が被着されたシリコンウェーハを90°Cの水酸化カリウム溶液にディップする。該ポリシリコン膜をムラなく除去し、SiO2膜を露出する。このウェーハを、次に、フッ酸と塩酸との混合液に漬け、SiO2膜を除去する。この除去面をメカノケミカルポリッシングし、鏡面とする。鏡面はSC1液で洗浄する。

Claim (excerpt)：

少なくとも表裏面のいずれか一方にポリシリコン膜が被着された半導体ウェーハをアルカリエッチング液に接触させることにより、このポリシリコン膜を除去する工程と、ポリシリコン膜を除去した後、この半導体ウェーハの少なくとも表裏面のいずれか一方を鏡面研磨する工程とを含むことを特徴とする再生ウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭51-019966
  
• 特開昭51-009367
  
• 特公昭44-007641