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J-GLOBAL ID：200903098546598069

シリコン半導体基板中への砒素ドーピング方法

Inventor： ヘルムート トライヒエル ,  ベルンハルト ノイライター ,  デイーター フクス ,  ライナー ブラウン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355262
Publication number (International publication number)：1993055156
Application date： Dec. 20, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 溝状のコンデンサメモリセル(DRAMs)を製造するに当り、急勾配のドーピング側面を有する特定の基板ドーピングのために使用され、一層好ましい熱勘定及び改良された基板ウェーハによって特徴づけられる方法を得ることにある。【構成】 拡散源として気相からのオゾン活性化熱分解(CVD法)により析出された砒素珪酸ガラス層を使用する形式の、シリコン基板への特定の砒素ドーピング法において、分解用出発物質として酸素含有異素有機珪素及び砒素化合物又は相応する珪素-砒素化合物を使用する。AsSG層を380〜440°Cの温度でまた103 〜105 Paの圧力で析出させ、その後砒素をAsSG層から焼結により基板に擦入し、最後のAsSG層を除去する。

Claim (excerpt)：

シリコン半導体基板に、有利には基板内のエッチングにより形成した高い縦横比を有する溝の側壁及び底面に、拡散源としてこの溝内に析出させた、砒素拡散後に除去される砒素珪酸ガラス層を使用して、一定の砒素ドーピングを実施する方法において、この砒素珪酸ガラス層をa) 気相からオゾン活性化熱分解(CVD法)により、b) 酸素を含有する異素有機珪素化合物及び酸素を含有する異素有機砒素化合物を、c) 380〜440°Cの温度で析出させ、d) その際圧力を103 Pa〜105 Paの範囲に調整することを特徴とするシリコン半導体基板中への砒素ドーピング方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10