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J-GLOBAL ID：200903098551330341
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308794
Publication number (International publication number)：1993144844
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Al等の変質性の大きいショットキゲート電極を用いたMESFETにおいてコンタクト抵抗の増大による素子不良を防止する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 電極からコンタクト部を介してパッドへの引出しを複数個形成する工程と、前記引出しより複数個のパッドを形成する工程と、前記複数のパッド間に所定の電流を印加する工程からなる構成とする。
Claim (excerpt)：
電極からコンタクト部を介してパッドへの引出しを複数個形成する工程と、前記引出しより複数個のパッドを形成する工程と、前記複数のパッド間に所定の電流を印加する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 29/80 B
, H01L 21/88 B
