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J-GLOBAL ID：200903098552837687

薄膜形成装置

Inventor： 佐野 琢磨 ,  松尾 達也 ,  高橋 晧一郎
Applicant, Patent owner： 真空冶金株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993277272
Publication number (International publication number)：1995102366
Application date： Oct. 01, 1993
Publication date： Apr. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上への薄膜の成膜中に機器、或いは構成部品に付着せる堆積物が剥離したり、飛散することがなく、また、再処理使用が可能な機器、構成部品を備えた薄膜形成装置。【構成】 チタンまたはチタン合金の表面にアルミニウム層またはアルミニウム合金層を被覆形成した汚染防止材で構成した機器または構成部品を備える薄膜形成装置。

Claim (excerpt)：

真空中で基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、該薄膜形成装置内の機器または構成部品をチタンまたはチタン合金の表面にアルミニウム層またはアルミニウム合金層を被覆形成した汚染防止材で構成したことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (2)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/34