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J-GLOBAL ID：200903098589914614

半導体のエッチング方法

Inventor： 斉藤 吉三 ,  服部 弘
Applicant, Patent owner： 本田技研工業株式会社
Agent (1)： 鳥井 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329823
Publication number (International publication number)：1994140364
Application date： Oct. 27, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】[目的] 比較的簡便なリアクティブ・イオン・エッチング法によって化合物半導体のエッチングを、オーバエッチングを生ずることなく高品質に行わせる。[構成] 化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッチング方法において、1Pa以下のガス圧力にてエッチングを行うようにする。

Claim (excerpt)：

化合物半導体のリアクティブ・イオン・エッチング方法において、1Pa以下のガス圧力にてエッチングを行うことを特徴とする半導体のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01S 3/083 ,  H01S 3/18