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J-GLOBAL ID:200903098611240410

非還元末端修飾フェニル化マルトテトラオース誘導体の製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高宮城 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991350894
Publication number (International publication number):1993161498
Application date: Dec. 10, 1991
Publication date: Jun. 29, 1993
Summary:
【要約】【構成】 α-アミラーゼ活性測定用基質として有用な一般式【化1】(式中、各記号は明細書に定義されている通りである。)により表される非還元末端修飾フェニル化マルトテトラオース誘導体を製造するに当たり、サイクロデキストリングルカノトランスフェラーゼによる糖転位反応を利用する方法。【効果】 本発明の方法によれば、α-アミラーゼ活性測定用基質として有用な非還元末端修飾フェニル化マルトテトラオース誘導体をサイクロデキストリングルカノトランスフェラーゼによる糖転位反応により、効率よく合成することができる。
Claim (excerpt):
一般式【化1】(式中、R1 ,R2 の少なくとも一方は、R3-S(O)m -Alk-またはR3 -CO-Alk-を示し、他方は水素、炭素数1〜6個のアルキルまたはフェニルを示す。ここでR3 は炭素数1〜5個のアルキルを示し、Alkは炭素数1〜5個のアルキレンを示し、mは1または2の整数を示す。)により表される供与体基質と一般式【化2】(式中、R4 はフェニルまたは置換フェニルを示す。)により表される受容体基質とにサイクロデキストリングルカノトランスフェラーゼを作用させることを特徴とする一般式【化3】(式中、各記号は前記と同義である。)により表される非還元末端修飾フェニル化マルトテトラオース誘導体の製造法。
IPC (3):
C12P 19/44 ,  C07H 15/203 ,  C12Q 1/40

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