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J-GLOBAL ID：200903098618450061
フォトレジストパターンの形成方法及び露光マスク
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276724
Publication number (International publication number)：1994102658
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 フォトレジストパターンの縁端部分にダレの生じないポジ型のフォトレジストパターンの形成方法及びその露光マスクを提供する。【構成】 ポジ型のフォトレジスト膜11を形成し、この形成したフォトレジスト膜11を所定のパターンに露光して現像した後に熱処理を行ってフォトレジストパターン13を形成する新規な方法である。この方法によれば、上述の熱処理前のフォトレジストパターン13の縁端13a近傍に、この縁端13aに沿って伸長する溝14が形成される。
Claim (excerpt)：
ポジ型のフォトレジスト膜を形成し、該形成したフォトレジスト膜を所定のパターンに露光して現像した後に熱処理を行ってフォトレジストパターンを形成する方法であって、前記熱処理前のフォトレジストパターンの縁端近傍に、該縁端に沿って伸長する溝を形成することを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 361 Q
, H01L 21/30 361 V
