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J-GLOBAL ID：200903098627699587

スイッチング電源用半導体集積回路

Inventor： 多田 元
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山田 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996118729
Publication number (International publication number)：1997307070
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 スイッチング制御回路の1次側電源から2次側電源へ切替え過渡期の給電を確実に保証できるようにしたスイッチング電源用ICを提供すること。【解決手段】 スイッチング電源用ICのパワーFET部50Aにおいて、中間口出し電極TAPは直列接続したJFET1のソース51sとIGFETのドレイン52dとの共通点ではなく、JFET1のドレインを共通にするJFET2に直列接続したJFET3の専属ソース55sに設けられている。IGFETがオンしても、中間口出し電極TAPは接地されないため、電極TAPから取り出される電流IS (スイッチング回路13の起動電流)はIGFETのオン・オフを問わず断続せず、継続給電が可能であり、スイッチング制御回路13の電源の切替え期でも電源ダウンのおそれがなくなり、電源動作の信頼性を高めることができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型チャネルの第1の接合形FETと、このソースをドレインとして直列接続されており、スイッチング制御信号により開閉する第1導電型チャネルの絶縁ゲート形FETを備えたスイッチング電源用半導体集積回路において、第1の接合形FETとドレイン同士を接続した第1導電型チャネルの第2の接合形FETと、第2の接合形FETのソースから電流を取り出す中間口出し電極と、を備えて成ることを特徴とするスイッチング電源用半導体集積回路。

IPC (7)：

H01L 27/095 ,  H01L 21/06 ,  H01L 21/8232 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H02M 3/28

FI (7)：

H01L 29/80 E ,  H02M 3/28 S ,  H02M 3/28 V ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 656 B ,  H01L 29/80 C