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J-GLOBAL ID：200903098631848864
電界効果型トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039712
Publication number (International publication number)：1995249775
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：
【要約】【目的】 特定の置換基を含むπ-共役系重合体を半導体層に用いることにより、オン・オフ比が大きい電界効果型トランジスタを提供する。【構成】 双極子モーメントの大きな特定の置換基を含むπ-共役系重合体を半導体層4に用いる。ゲート電圧が0Vのときはソース・ドレイン電極間の抵抗は低い。ゲート電極2に電圧を印加することにより、半導体層4内に電界を発生させ、双極子モーメントを持つ置換基に力を及ぼして重合体のコンフォメーションを変化させ、π電子共役をくずして低導電率化させる。このようにして、ゲート電圧によってソース・ドレイン間の電気伝導度を高いオン・オフ比で制御する。
Claim (excerpt)：
半導体層を具備する電界効果型トランジスタにおいて、前記半導体層が、-CHO、-COCH3 、-NO2 、-CNのいずれかの置換基を含むπ-共役系重合体を主な成分とすることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 311 B
, H01L 29/28
