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J-GLOBAL ID：200903098641128274
透明導電膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994151216
Publication number (International publication number)：1996017268
Application date： Jul. 01, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ITM又はITOターゲットを用いて樹脂基板上に連続成膜した場合、ターゲット表面に発生する黒色突起について、その発生を防止することによって膜形成速度の変動及び膜比抵抗の劣化を抑制し、高品質なITO透明導電膜の安定かつ効率の高い連続製造方法を提供すること。【構成】 インジウム-錫ターゲット又はインジウム-錫酸化物ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングの導入ガスとしてアルゴン及び酸素に加えて、分圧2〜8×10-3Paの水蒸気を用い、ポリエーテルスルホン又はポリエチレンテレフタレート基板上に連続成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Claim (excerpt)：
インジウム-錫ターゲット又はインジウム-錫酸化物ターゲットを用いたDCマグネトロンスパッタリング法による透明導電膜の製造方法において、該スパッタリングの導入ガスとしてアルゴン及び酸素に加えて、分圧2〜8×10-3Paの水蒸気を用い、ポリエーテルスルホン又はポリエチレンテレフタレート基板上に連続成膜することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
IPC (5)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, B32B 9/00
, B32B 15/04
Cited by examiner (6)
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