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J-GLOBAL ID：200903098645312576

単結晶の製造方法および製造装置

Inventor： 山根 真 ,  高須 広海
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001384975
Publication number (International publication number)：2003183099
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、製造が安全かつ容易で、基板から他の層への転位が少ない、単結晶の製造方法および製造装置を提供するものである。【解決手段】 一種類又は複数種類の原料4を原料容器2に収納させ、管11の中へ落下させ、第1温度にて加熱された第1窒素20および落下中の前記原料4を接触させ、窒化化合物を生成させ、冷却させ、第2温度にて加熱された第2窒素26および落下中の前記窒化化合物を接触させ、保温しつつ第3窒素34の雰囲気にて前記窒化化合物を落下させ、載置部40上の種単結晶41の上に、前記窒化化合物の単結晶を成長させる。また、前記原料4としてAlを用い、前記単結晶として、AlNの単結晶を成長させる。

Claim (excerpt)：

一種類又は複数種類の原料を原料容器に収納させ、管の中へ落下させ、第1温度にて加熱された第1窒素および落下中の前記原料を接触させ窒化化合物を生成させ、冷却させ、第2温度にて加熱された第2窒素および落下中の前記窒化化合物を接触させ、保温しつつ第3窒素の雰囲気にて前記窒化化合物を落下させ、載置部上の種単結晶の上に、前記窒化化合物の単結晶を成長させる事を特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00

FI (2)：

C30B 29/38 C ,  H01L 33/00 C

F-Term (13)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA20 ,  4G077EA01 ,  4G077EG20 ,  4G077EG21 ,  4G077HA02 ,  4G077SA04 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40