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J-GLOBAL ID：200903098645590010

ナノ構造化されたパターン製造方法

Inventor： ラメシュ・ジャガナサン ,  ユアンチャオ・ラオ ,  シャン-ドン・ミー
Applicant, Patent owner： ローム アンド ハース デンマーク ファイナンス エーエス
Agent (1)： 特許業務法人センダ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007210080
Publication number (International publication number)：2008149447
Application date： Aug. 10, 2007
Publication date： Jul. 03, 2008
Summary：

【課題】本発明は、基体上のナノ構造化パターンの形成方法に関する。【解決手段】これらの工程は、基体を供給する工程、およびこの基体を機能性材料でコーティングして、機能性材料層を形成する工程を含む。少なくともAポリマー鎖およびBポリマー鎖のブロックコポリマーが、この機能性材料層上へコーティングされて、1つの層を形成する。このブロックコポリマーが乾燥されて、秩序あるナノドメインを形成する。乾燥されたブロックコポリマーのAポリマー鎖が除去されて空隙を形成し、機能性材料はついで、Aポリマー鎖が除去された場所から除去される。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基体上のナノ構造化されたパターンの形成方法であって、 基体を供給する工程; 前記基体を機能性材料でコーティングして、機能性材料の層を形成する工程; 前記機能性材料の層を、少なくともAポリマー鎖およびBポリマー鎖のブロックコポリマーでコーティングする工程; 前記ブロックコポリマーを乾燥して、秩序あるナノドメインを形成する工程; 乾燥されたブロックコポリマーのAポリマー鎖を除去して、空隙を形成する工程;および Aポリマー鎖が除去された場所から機能性材料を除去する工程: を含む方法。

IPC (2)：

B82B 3/00 ,  G02B 5/30

FI (2)：

B82B3/00 ,  G02B5/30

F-Term (6)：

2H049BA02 ,  2H049BA05 ,  2H049BA45 ,  2H049BB42 ,  2H049BC01 ,  2H049BC08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 米国特許出願公開番号2006/0061862号明細書
  
• 米国特許第4,688,897号明細書
  
• 米国特許第4,514,479号明細書
  
• 米国特許第4,049,944号明細書