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J-GLOBAL ID：200903098662131097
化学増幅型レジスト組成物とレジストパターンの形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991239872
Publication number (International publication number)：1993080516
Application date： Sep. 19, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、遠紫外線を光源として庇状の突出部がない垂直な断面の形成が可能なレジストを提供することを目的とする。【構成】 酸触媒により極性が変化する官能基を含むポリマーと、光酸発生剤により構成される化学増幅型レジストにおいて、このポリマーに水酸基,カルボシル基,メトキシ基および酸無水物の何れかのアルカリ可溶性基をポリマに対し含有率Xが0<X<30モル%の範囲で導入して化学増幅型レジストを作り、このレジストを被処理基板に被覆し、選択露光を行いベークした後にアルカリ現像することを特徴としてレジストパターンを構成する。
Claim (excerpt)：
酸触媒により極性が変化する官能基を含むポリマーと光酸発生剤により構成される化学増幅型レジストにおいて、前記のポリマーにアルカリ可溶性基を導入したことを特徴とする化学増幅型レジスト。
IPC (4)：
G03F 7/039 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/029
, H01L 21/027
Cited by examiner (11)
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