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J-GLOBAL ID:200903098669085600
誘電体薄膜キャパシタ
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996234150
Publication number (International publication number):1998079470
Application date: Sep. 04, 1996
Publication date: Mar. 24, 1998
Summary:
【要約】【課題】 本発明は誘電体薄膜キャパシタの組成に関し、高電圧印加時のリーク特性を改善し、薄膜キャパシタの駆動電圧の低減を可能とする。【解決手段】 誘電体薄膜が、(Ba1-X SrX )(Ti1-Y ZrY )O3 ( 0≦x≦0.6,0≦y≦0.4)なる組成を有する誘電体薄膜キャパシタ。
Claim (excerpt):
下部電極と上部電極の間に高誘電体薄膜を挟んでなる誘電体薄膜キャパシタにおいて、該誘電体膜が(Ba1-X SrX )(Ti1-Y ZrY)O3 (0≦x≦0.6,0≦y≦0.4)なる組成を有してなることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ。
IPC (4):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
FI (2):
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
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