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J-GLOBAL ID：200903098673881861

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 姫野 雄治 ,  山之内 文貴
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999097767
Publication number (International publication number)：2000294718
Application date： Apr. 05, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 鉛レスの外装メッキがアウターリードにのみされ、電池腐食を完全に防止し、良好な半田付け性、良好な接続性を付与される樹脂封止又は気密封止型の半導体装置及び単純な方法で、量産化が可能で、しかも、製造コストを大幅に削減できるその半導体装置の製造方法を提供するものである。【解決手段】 樹脂封止又は気密封止型の半導体装置であって、外部機器と半導体チップ1とをボンディング線4を介して導通しているアウターリード部材8表面上に、Ni 金属又はNi 合金膜の下地層9が被覆され、前記下地層上には、更にAu金属膜10が被覆されている半導体装置及びモールド後のアウターリード全面の外装メッキからなるその半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

樹脂封止又は気密封止型の半導体装置であって、外部機器と半導体チップとをボンディング線を介して導通しているアウターリード部材表面上に、Ni 金属又はNi 合金膜の下地層が被覆され、前記下地層上には、更にAu金属膜が被覆されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  C25D 5/18

FI (3)：

H01L 23/50 V ,  H01L 23/50 D ,  C25D 5/18

F-Term (11)：

4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024BA01 ,  4K024BB13 ,  4K024CA05 ,  5F067AA13 ,  5F067DC12 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067DC20