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J-GLOBAL ID：200903098677676545

半導体発光素子とその製造方法

Inventor： 山本 修 ,  佐々木 和明 ,  中津 弘志 ,  山本 三郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006806
Publication number (International publication number)：1993190901
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 表面に所望のレンズ形状を均一に再現性及び制御性よく製作し、活性領域で発光した光が有効に取り出され、外部効率を大幅に改善して高輝度の発光素子を再現性よく実現する。【構成】 多数個のレンズ状部3aを上面に有するレンズ集積層3を上部に形成する。n型GaP基板1の上にGaP成長層2やGaAsバッファ層を成長し、エキシマレーザ光の光強度分布により原料ガスを分解して基板1の温度を変化し、光の強い部分の成長速度を大きくしてレンズ状部3aを成長する。【効果】 光量の分布で成長層厚を自由に制御でき、再現性よく所望の形状のレンズ状部が得られる。外部効率を大幅に改善し、高輝度の半導体発光素子が再現性よく実現される。

Claim (excerpt)：

基板の上に成長層を積層し表面から発光を取り出す表面出射型の半導体発光素子であって、表面に多数個のレンズ状部が形成されたレンズ集積層を上部に積層した半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭49-107684
  
• 特開昭59-051580
  
• 特開昭58-199477
  
• 特開平3-085774
  
• 特開昭59-092523