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J-GLOBAL ID:200903098680150694
貼り合わせSOIウエーハの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石原 詔二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002293565
Publication number (International publication number):2004128389
Application date: Oct. 07, 2002
Publication date: Apr. 22, 2004
Summary:
【課題】貼り合わせSOIウエーハを製造する際にボイドの発生を抑え、生産性の高い貼り合わせSOIウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】2枚のウエーハを貼り合わせることによってSOIウエーハを製造する方法において、微小気泡層を形成した一方のウエーハの前面及び裏面に付着した付着物を機械的に除去した後、化学洗浄を行い、かつ該化学洗浄に用いる薬液中に導入される該除去された遊離付着物が該一方のウエーハの少なくとも前面に再付着しないように該薬液中の該遊離付着物の濃度を所定の値以下に管理するようにした。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
2枚のウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハに絶縁層を形成すると共に、該一方のウエーハの前面から水素イオン又は希ガスイオンを注入して該一方のウエーハ内部に微小気泡層を形成し、次いで該一方のウエーハを化学洗浄し、該一方のウエーハの前面を該絶縁層を介して他方のウエーハと密着させ、その後熱処理を加えて微小気泡層を劈開面として該一方のウエーハの一部分を剥離することによって該一方のウエーハを薄膜化し、さらに熱処理を加えて該薄膜化した一方のウエーハと該他方のウエーハとを該絶縁層を介して強固に結合することによって貼り合わせSOIウエーハを製造する方法において、前記微小気泡層を形成した一方のウエーハの前面及び裏面に付着した付着物を機械的に除去した後、前記化学洗浄を行い、かつ該化学洗浄に用いる薬液中に導入される該除去された遊離付着物が該一方のウエーハの少なくとも前面に再付着しないように該薬液中の該遊離付着物の濃度を所定の値以下に管理することを特徴とする貼り合わせSOIウエーハの製造方法。
IPC (3):
H01L27/12
, H01L21/02
, H01L21/762
FI (3):
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
, H01L21/76 D
F-Term (8):
5F032AA06
, 5F032AA91
, 5F032DA21
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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基板洗浄方法および基板洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-257954
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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イオン注入装置のウェハ支持台
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-362302
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, 信越化学工業株式会社
-
完全密閉型気液洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-027657
Applicant:株式会社ワコム電創
-
基板洗浄装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-129240
Applicant:ゼテック株式会社
-
薄い半導体材料フィルムの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-246594
Applicant:コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク
-
貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-195955
Applicant:信越半導体株式会社
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半導体基板とその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-000633
Applicant:キヤノン株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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半導体製造装置実用便覧, 19841225, 275-276頁
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