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J-GLOBAL ID：200903098689321106

接続孔の形成方法

Inventor： 三村 義昭 ,  青山 眞二 ,  君塚 正勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130876
Publication number (International publication number)：1993326357
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、従来技術の最大の欠点である全面露光によるレジスト膜減りの問題を解決し、かつ、従来技術法の最大の欠点であるレジストパタン熱変形の制御性不良の問題を解決した、新規な接続孔テーパ加工用レジストプロファイル制御技術を用いた接続孔の形成方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて層間絶縁膜に孔をあけて金属配線間を接続させる接続孔の形成工程中の投影露光方式を用いた光露光工程において、非焦点位置で露光したのちに続いて焦点位置で露光することにより、焦点位置を同一箇所で少なくとも2度以上替えながら露光した後、現像する第1の工程と、これに引続き、基板温度を徐々に上げながらUV光を照射する第2の工程とを有して構成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造プロセスにおいて層間絶縁膜に孔をあけて金属配線間を接続させる接続孔の形成工程中の投影露光方式を用いた光露光工程において、非焦点位置で露光したのちに続いて焦点位置で露光することにより、焦点位置を同一箇所で少なくとも2度以上替えながら露光した後、現像する第1の工程と、これに引続き、基板温度を徐々に上げながらUV光を照射する第2の工程とを有することを特徴とする接続孔の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

FI (4)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 21/30 361 P ,  H01L 21/30 361 Q ,  H01L 21/88 F