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J-GLOBAL ID：200903098695308103

微細パタン形成方法

Inventor： 田中 聡 ,  井上 壮一 ,  藤澤 忠仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056705
Publication number (International publication number)：1994267822
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体集積回路を製造する際に用いられる投影露光装置あるいは光リソグラフィー装置等において、微細レジストパタン等の微細パタンを解像度良くウェハ等に投影露光することのできる微細パタン形成方法を提供することを目的とする。【構成】ウェハ上に投影露光するための投影光学系内に配置される光源フィルタ(2次光源となるマスク)であるマスク面上の2つの方向に少なくとも2つ以上周期的に開口部を形成し、且つ互いに隣合う開口部を通過する光の位相差が180度に近い位相差となるように形成し、このマスクを照明する光源として、このマスクパタンの位相分布が周期的に変化する2つの方向に対し、その各々の方向を該光源する光束と上記投影光学系の光軸により張る面が含むように、光源の出射面光強度分布を光軸から外れた領域にて強度大とせしめた光源を用いる微細パタン形成方法。

Claim (excerpt)：

マスクに形成されたパタンを投影光学系を介してウェハ上に投影露光する微細パタン形成方法において、前記マスクとして開口部をマスク面上の2つの方向に少なくとも2つ以上周期的に形成し、且つ互いに隣合う開口部を通過する光に位相差が180度に近い位相差となるように形成し、前記マスクを照明する光源として、前記マスクパタンの位相分布が周期的に変化する2つの方向に対し、その各々の方向を該光源による光束と上記投影光学系の光軸により張る面が含むように、光源の出射面光強度分布を光軸から外れた領域にて強度大とせしめた光源を用いることを特徴とする微細パタン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00