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J-GLOBAL ID：200903098697570190

光電変換素子の製造方法

Inventor： 森内 荘太 ,  奥野 哲啓 ,  横沢 雄二 ,  中嶋 一孝
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033414
Publication number (International publication number)：1994252428
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電極と拡散層との直列抵抗損失を抑制するとともに、受光部の不純物濃度を低減し低コストでしかも量産に適したプロセスを提供する。【構成】 P型シリコン基板1の表面に不純物を含む拡散塗布液を塗布し、ランプ加熱によりマスクを使用しない乾燥とマスクを使用した乾燥とを行ない、熱拡散により、高濃度N型不純物拡散層21と低濃度N型不純物拡散層22とを形成しN型不不純物拡散層2の不純物濃度の面内分布を変化させる。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板の表面に第2の導電型の不純物を含む拡散塗布液を塗布する工程と、拡散塗布液を塗布した半導体基板の表面を酸素を含む雰囲気中でランプ加熱する第1の乾燥工程と、その後半導体基板の表面の一部をマスクして同じ雰囲気中でランプ加熱する第2の乾燥工程と、加熱により不純物を基板に拡散させる工程とを有する、半導体基板の表面の不純物拡散層の不純物濃度の面内分布を変化させることを特徴とする光電変換素子の製造方法。