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J-GLOBAL ID：200903098715668217

エアロゲルを用いた陽電子放出断層撮像装置及びエアロゲルの製造方法

Inventor： 横川 弘 ,  岸本 広次 ,  河合 秀幸
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (2)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004113485
Publication number (International publication number)：2005300232
Application date： Apr. 07, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】 光電効果事象をコンプトン散乱事象から有効に識別し、光電効果により発生した荷電粒子による発光(チェレンコフ光)のみを検出することで、位置精度良く癌細胞などの異常組織の位置を発見することができ、しかもデータ収集及び解析機構を簡素化することができる陽電子放出断層撮像装置を提供する。【解決手段】 γ線検出手段が被測定物の周囲に複数個設けられ、被測定物に投与された陽電子過剰核によって被測定物中で発生したγ線を、各γ線検出手段で検出して、被測定物内に存在する異常組織の位置を検出する陽電子放出断層撮像装置に関する。γ線検出手段を、屈折率が1.155より大きく1.25未満であるエアロゲルと、このエアロゲルを通過する電子によって生じるチェレンコフ光を検出する検出器を備えて形成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

γ線検出手段が被測定物の周囲に複数個設けられ、被測定物に投与された陽電子過剰核によって被測定物中で発生したγ線を、各γ線検出手段で検出して、被測定物内に存在する異常組織の位置を検出する陽電子放出断層撮像装置において、γ線検出手段が、屈折率が1.155より大きく1.25未満であるエアロゲルと、このエアロゲルを通過する電子によって生じるチェレンコフ光を検出する検出器を備えて形成されたものであることを特徴とする陽電子放出断層撮像装置。

IPC (4)：

G01T1/161 ,  C09K11/06 ,  G01T1/22 ,  H01L31/09

FI (5)：

G01T1/161 A ,  G01T1/161 C ,  C09K11/06 ,  G01T1/22 ,  H01L31/00 A

F-Term (10)：

2G088EE02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088GG25 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK15 ,  2G088KK35 ,  5F088AA20 ,  5F088BB07 ,  5F088LA07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 陽電子断層撮影装置におけるγ線吸収体による散乱同時計数測定法及び陽電子断層撮影装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256985   Applicant：東北大学長