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J-GLOBAL ID：200903098719211661
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998141302
Publication number (International publication number)：1999340223
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜の段差被覆性を改善し、半導体装置の信頼性を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線層が形成された半導体基板上にプラズマCVDを行い、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記プラズマCVD工程は、前記シリコン窒化膜の成膜ガスおよびハロゲン系ガスを供給し、前記ハロゲン系ガスにより前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエッチングしながら、前記シリコン窒化膜を堆積させる工程である半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt)：
配線層が形成された半導体基板上に、プラズマ化学気相蒸着(CVD;chemical vapor deposition)を行い、シリコン窒化膜からなるパッシベーション膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記プラズマCVD工程は、前記シリコン窒化膜の成膜ガスおよびハロゲン系ガスを供給し、前記ハロゲン系ガスにより前記シリコン窒化膜の少なくとも一部をエッチングしながら、前記シリコン窒化膜を堆積させる工程である半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
