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J-GLOBAL ID：200903098720123806

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 小島 義己 ,  藤原 正弘 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992227638
Publication number (International publication number)：1994077251
Application date： Aug. 26, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 結晶性に優れた多結晶シリコン膜を形成する。【構成】 TFTのチャンネル部形成箇所にマイクロクリスタルシリコン膜を形成し、アニール処理して多結晶シリコン膜とする。マイクロクロスタルシリコンにおいては、微結晶を核として結晶成長させることができる。よって、成長する結晶の粒径や配向性を制御することができる。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン膜からなるチャネル部を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、該チャネル部形成箇所にマイクロクリスタルシリコン膜を形成する工程と、該マイクロクリスタルシリコン膜をアニール処理して多結晶シリコン膜となす工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500