Pat

J-GLOBAL ID：200903098720712860

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 岡田 美広 ,  伴 厚志 ,  岡本 昌也 ,  西野 浩己
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996328106
Publication number (International publication number)：1998173192
Application date： Dec. 09, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、ダブルゲートTFTの動作特性を改善し、下側ゲート電極と、チャネル領域と、上側ゲート電極の位置合わマージンなくして、TFTの微細化を実現する。【解決手段】 ドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した半導体薄膜からなるソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域の間に形成された半導体薄膜からなるチャネル領域と、前記半導体薄膜に接して半導体薄膜の上下面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜を挟むように形成された一対のゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記一対のゲート電極とチャネル領域の位置及び形状が平面視で重なっていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ドナーあるいはアクセプタとなる不純物を添加した半導体薄膜からなるソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域とドレイン領域の間に形成された半導体薄膜からなるチャネル領域と、前記半導体薄膜に接して半導体薄膜の上下面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜を挟むように形成された一対のゲート電極とからなる薄膜トランジスタにおいて、前記一対のゲート電極とチャネル領域の位置及び形状が平面視で重なっていることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 C