Pat

J-GLOBAL ID：200903098731817869

立方晶窒化ホウ素の製造方法

Inventor： 塩井 恒介 ,  中野 秀文
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994019508
Publication number (International publication number)：1995068153
Application date： Feb. 16, 1994
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 六方晶窒化ホウ素(hBN)から立方晶窒化ホウ素(cBN)を合成する変換率を向上させること。【構成】 hBNを、Ia,IIa族元素の金属のアミド、イミドから選ばれる少なくとも1種の化合物の存在、又はそれとIa,IIa,III a,VIa,VII a,VIII,IIb,III b族元素から選ばれる少なくとも1種の金属との併存において、cBNの安定領域の温度及び圧力を保持して、cBNに変換する。

Claim (excerpt)：

周期律表Ia,IIa族元素のアミド、イミドから選ばれる1種以上の化合物の存在において六方晶窒化ホウ素を、立方晶窒化ホウ素の安定領域内の温度及び圧力条件下に保持して、立方晶窒化ホウ素に変換することを特徴とする立方晶窒化ホウ素の製造方法。