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J-GLOBAL ID：200903098734060343

集積半導体デバイス及びこれを製造するための方法

Inventor： ケイス ウェイン グーセン
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142073
Publication number (International publication number)：1995142815
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は完全に製造された半導体デバイスを別の完全に製造された半導体デバイスに集積ユニットが形成されるように結合することに関する。【構成】 本発明においては、集積半導体デバイスが基板を持つ一つの製造された半導体デバイスのコンダクタを基板を持つもう一つの製造された半導体デバイス上のコンダクタに結合し、これらデバイス間にホトレジストの形式にてエッチレジストを流し込み、エッチレジストを乾燥させ、これら半導体デバイスの一つから基板を除去することによって形成される。

Claim (excerpt)：

集積半導体デバイスを製造するための方法であって、この方法が:基板を持つ第一の半導体デバイスのコンダクタを第二の半導体デバイス上のコンダクタに結合するステップ;第一の半導体デバイスと第二の半導体デバイスとの間の空間を満たすためにエッチレジストを流し込むステップ;エッチレジストを乾燥させるステップ;及び第二の半導体デバイスから基板を除去するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15