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J-GLOBAL ID：200903098734513437

予備真空室およびそれを用いた真空処理装置

Inventor： 田中 恵一 ,  相馬 正樹 ,  浅尾 信介 ,  小澤 雅仁
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998026316
Publication number (International publication number)：1999214478
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ゲートを削減することができる予備真空室およびそのような予備真空室を備えた処理装置を提供すること、および、大気状態と真空状態との切換を短時間で行うことができる予備真空室およびそれを用いた真空処理装置を提供すること。【解決手段】 予備真空室12,13を構成する筐体30には、筐体30に対して半導体ウエハWを搬入または搬出する開口部10,14が設けられ、筐体30内にはウエハWを保持するウエハ保持部33a',33bが設けられている。そして、移動機構39a,39bによりウエハ保持部33a',33bを移動して、筐体30の突出部31a',31bとウエハ保持部33a',33bとで区画された密閉空間32a',32bを形成する。密閉空間32bにガスを導入することによりウエハWが冷却され、加熱装置41により密閉空間32a'でウエハWが加熱される。

Claim (excerpt)：

筐体と、筐体に対して被処理体を搬入または搬出する開口部と、筐体内で被処理体を保持する被処理体保持部と、前記被処理体保持部を移動して、前記筐体の一部と前記被処理体保持部で区画された密閉空間を形成する移動手段と、前記密閉空間にガスを導入するガス導入手段と、前記密閉空間を排気する排気手段とを具備することを特徴とする予備真空室。

IPC (7)：

H01L 21/68 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (7)：

H01L 21/68 A ,  C23C 14/56 F ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• マルチチャンバウェハ処理システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044896   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 特開昭60-074531